• デバイスメーカー様向け

  高品質な「下地層」の提供

  パワー半導体やLED分野では、デバイス層だけでなく、その性能を支える下地層の品質が重要です。当社は、こうしたニーズに応える高品質なGaN下地膜を提供しています。スパッタ成膜の高いプロセス制御性により、結晶性や応力を適切に制御し、後工程のエピタキシャル成長品質の向上に貢献します。

• 評価・研究機関様向け

  幅広い評価用テストウエハ

  特定のデバイスに依存しない汎用的な評価用テストウエハを提供しています。薬液耐性評価やエッチングレート評価、後工程における各種プロセス耐性評価など、幅広いニーズに対応可能です。これにより、お客様の開発初期段階におけるコスト低減と期間短縮に貢献します。

• 基材・サイズ・結晶性

  仕様

  項目	詳細・仕様
  膜構成	GaN / AlN / 基板
  基材	Si, c-sapphire, 各種テンプレート等
  基板サイズ	～8インチ
  GaN(0002)_RC-FWHM	≦ 1.5° ※Si(111)使用時

• Si上での結晶性評価結果

  XRDロッキングカーブ評価実績（GaN/AlN/Si(111)）

  

研究開発の取り組みの一例

デバイスメーカー様向け

スパッタGaNの特徴

Si基板上に圧縮応力を付与したGaN/AlNスパッタ膜を形成し、横型GaNデバイスのクラック発生を抑制します。
これにより従来のMOCVD法による応力緩和層(超格子構造)作製プロセスを短縮することができます。

デバイスメーカー様向け

開発内容

現在、GaNスパッタ膜において、3軸対称性を有する高い結晶性の実現に加え、広いレンジでの精密な応力制御技術の確立に取り組んでいます。
前処理やプロセス条件の最適化により実現を目指しています。